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Thorlabs摻鐿光纖
- 產(chǎn)品型號：
- 更新時間：2024-04-19
- 產(chǎn)品介紹：Thorlabs摻鐿光纖，用于光學放大器、ASE光源以及高功率脈沖和連續(xù)波激光器應用，工作功率范圍從毫瓦到100瓦，發(fā)光波長1000 - 1100 nm。這種光纖由芬蘭的nLight, Inc.生產(chǎn)，使用了的摻雜光纖生產(chǎn)技術：Liekki納米粒子直接沉積（DND）。Liekki DND技術能夠滿足光纖應用的要求，比如短光纖、不損壞纖芯的平坦折射率剖面、以及較高的纖芯包層比
- 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
- 在線留言
產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Thorlabs | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 電子/電池 |
Thorlabs摻鐿光纖
Thorlabs摻鐿光纖特性
摻鐿石英光纖，用于約1000nm- 1100 nm光纖激光器和放大器
提供單模光纖和大模場光纖
纖芯泵浦或包層泵浦設計，用于1 mW- >100 W的輸出功率
下面也出售匹配的無源光纖
幾何形狀符合有源光纖的行業(yè)標準，包層?125、?250或?400 µm
Thorlabs提供的摻鐿光纖，用于光學放大器、ASE光源以及高功率脈沖和連續(xù)波激光器應用，工作功率范圍從毫瓦到100瓦，發(fā)光波長1000 - 1100 nm。這種光纖由芬蘭的nLight, Inc.生產(chǎn)，使用了的摻雜光纖生產(chǎn)技術：Liekki納米粒子直接沉積(DND)。Liekki DND技術能夠滿足光纖應用的要求，比如短光纖、不損壞纖芯的平坦折射率剖面、以及較高的纖芯-包層比(大模場雙包層光纖)。
摻鐿光纖可選纖芯泵浦或者包層泵浦(雙包層)設計。纖芯泵浦光纖非常適合低功率應用，有源光纖長度很短，其類似遠程通信的幾何形狀便于拼接和處理，并且兼容低成本泵浦二極管和標準無源單模(SM)光纖。
與纖芯泵浦有源光纖相比，包層泵浦雙包層的效率更高，輸出功率更高。包層泵浦光纖為雙包層，意味著光纖的鍍層作為第二包層，允許*包層具備波導功能。一般地，雙包層光纖的纖芯為低NA單模光纖或者大模場(LMA)光纖，用于激發(fā)光；*包層為高NA和多模，用于泵浦光。
我們也供應保偏摻鐿光纖。
Item # | Type | Absorption | Pump | Core | Cladding |
YB1200-4/125 | SMa | 280 ± 50 dB/m | Core | 4.4 ± 0.8 μm MFD | 125 ± 2 μm |
YB1200-6/125DC | SMa | 0.55 ± 0.1 dB/m | Cladding | 7.0 ± 0.5 μm MFD | 125 ± 2 μm |
YB1200-10/125DC | LMAb | 1.7 ± 0.3 dB/m | 10.0 ± 1.0 μm | 125 ± 2 μm | |
YB1200-20/400DC | LMAb | 0.6 ± 0.1 dB/m | 20.0 ± 1.5 μm | 400 ± 10 μm | |
YB1200-25/250DC | LMAb | 2.3 ± 0.3 dB/m | 25.0 ± 1.5 μm | 250 ± 5 μm | |
YB2000-10/125DC | LMAb | 2.0 ± 0.4 dB/m | 10 ± 1.0 μm | 125 ± 2 μm |
纖芯泵浦光纖橫截面
包層泵浦光纖橫截面
Active Fibers Selection Guide | ||
Ytterbium-Doped SM and LMAYtterbium-Doped PMErbium-Doped SM and LMA | Ytterbium-Doped SM and LMAYtterbium-Doped PMErbium-Doped SM and LMA | Ytterbium-Doped SM and LMAYtterbium-Doped PMErbium-Doped SM and LMA |
纖芯泵浦單模光纖
Item # | YB1200-4/125 |
Cladding Geometry | Round |
Peak Core Absorption @ 976 nm (Nominal) | 1200 dB/m |
Core Absorption @ 920 nm | 280 dB/m |
MFD | 4.4 ± 0.8 μm |
Cladding Diameter | 125 ± 2 μm |
Coating Diameter | 245 ± 15 μm |
Core Numerical Aperture (NA) (Nominal) | 0.2 |
Cladding NA | >0.46 |
Cut-Off Wavelength | 1010 ± 70 nm |
Coating Material | High-Index Acrylate |
Core Concentricity Error | ≤0.7 μm |
Proof Test | ≥100 kpsi |
Core Index | Proprietarya |
Cladding Index | Proprietarya |
a. 很抱歉我們不能提供更多信息。
包層泵浦、雙包層SM和LMA光纖
Item # | YB1200-6/125DC | YB1200-10/125DC | YB1200-20/400DC | YB1200-25/250DC | YB2000-10/125DC |
Cladding Geometry | Octagonal | ||||
Peak Cladding Absorption @ 976 nm (Nominal) | 2.4 dB/m | 7.4 dB/m | 2.6 dB/m | 9.9 dB/m | - |
Cladding Absorption @ 920 nm | 0.55 ± 0.1 dB/m | 1.7 ± 0.3 dB/m | 0.6 ± 0.1 dB/m | 2.3 ± 0.3 dB/m | 2.0 ± 0.4 dB/m |
MFD | 7.0 ± 0.5 μm | 11.1 µma | 16.6 µma | 19.3 µma | - |
Core Diameter | - | 10.0 ± 1.0 µm | 20.0 ± 1.5 µm | 25.0 ± 1.5 µm | 10 ± 1.0 µm |
Cladding Diameterb | 125 ± 2 μm | 125 ± 2 μm | 400 ± 10 μm | 250 ± 5 μm | 125 ± 2 μm |
Coating (Second Cladding) Diameter | 245 ± 15 μm | 245 ± 15 μm | 520 ± 15 μm | 350 ± 15 μm | 245 ± 15 μm |
Core Numerical Aperture (NA) | 0.12a | 0.080 ± 0.005 | 0.070 ± 0.005 | 0.070 ± 0.005 | 0.12 ± 0.02 |
Cladding NA | ≥0.48 | ≥0.48 | ≥0.48 | ≥0.48 | >0.46 |
Coating Material | Low-Index Acrylate | Low-Index Acrylate | Low-Index Acrylate | Low-Index Acrylate | Low-Index Acrylate |
Core Concentricity Error | ≤1.0 μm | ≤1.0 μm | ≤1.2 μm | ≤1.0 μm | < 1.5 μm |
Proof Test | ≥100 kpsi | ≥100 kpsi | ≥100 kpsi | ≥100 kpsi | >100 kpsi |
Core Index | Proprietaryc | ||||
Cladding Index | Proprietaryc | ||||
a. 標稱值
b. 八邊形包層相對平面的測量值。
c. 很抱歉我們不能提供更多信息。
匹配的無源LMA光纖
Item # | P-6/125DC | P-10/125DC | P-20/400DC | P-25/250DC |
Matching Active Fiber | YB1200-6/125DC | YB1200-10/125DC | YB1200-20/400DC | YB1200-25/250DC |
Cladding Geometry | Round | |||
Core Diameter | 7 ± 0.5 µma | 10 ± 1.0 µm | 20 ± 1.5 µm | 25 ± 1.5 µm |
Cladding Diameter | 125 ± 2 μm | 400 ± 5 µm | 250 ± 5 µm | |
Coating (Second Cladding) Diameter | 245 ± 15 μm | 520 ± 15 µm | 350 ± 15 µm | |
Core Numerical Aperture (NA) | 0.12 (Nominal) | 0.08 ± 0.005 | 0.07 ± 0.005 | |
Cladding NA | ≥0.48 | |||
Coating Material | Low-Index Acrylate | |||
Proof Test | ≥100 kpsi | |||
Core Index | Proprietaryb | |||
Cladding Index | Proprietaryb | |||
a. 纖芯直徑規(guī)格是指在1060 nm處的遠場模場直徑。
b. 很抱歉我們不能提供更多信息。
損傷閥值
激光誘導的光纖損傷
以下教程詳述了無終端(裸露的)、有終端光纖以及其他基于激光光源的光纖元件的損傷機制，包括空氣-玻璃界面(自由空間耦合或使用接頭時)的損傷機制和光纖玻璃內(nèi)的損傷機制。諸如裸纖、光纖跳線或熔接耦合器等光纖元件可能受到多種潛在的損傷(比如，接頭、光纖端面和裝置本身)。光纖適用的大功率始終受到這些損傷機制的小值的限制。
雖然可以使用比例關系和一般規(guī)則估算損傷閾值，但是，光纖的損傷閾值在很大程度上取決于應用和特定用戶。用戶可以以此教程為指南，估算大程度降低損傷風險的安全功率水平。如果遵守了所有恰當?shù)闹苽浜瓦m用性指導，用戶應該能夠在的大功率水平以下操作光纖元件；如果有元件并未大功率，用戶應該遵守下面描述的"實際安全水平"該，以安全操作相關元件?？赡芙档凸β蔬m用能力并給光纖元件造成損傷的因素包括，但不限于，光纖耦合時未對準、光纖端面受到污染或光纖本身有瑕疵。關于特定應用中光纖功率適用能力的深入討論，請聯(lián)系技術支持techsupport-cn@thorlabs.com。
Quick Links |
Damage at the Air / Glass Interface |
Intrinsic Damage Threshold |
Preparation and Handling of Optical Fibers |
空氣-玻璃界面的損傷
空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機制。自由空間耦合或使用光學接頭匹配兩根光纖時，光會入射到這個界面。如果光的強度很高，就會降低功率的適用性，并給光纖造成性損傷。而對于使用環(huán)氧樹脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言，高強度的光產(chǎn)生的熱量會使環(huán)氧樹脂熔化，進而在光路中的光纖表面留下殘留物。
損傷的光纖端面
未損傷的光纖端面
裸纖端面的損傷機制
光纖端面的損傷機制可以建模為大光學元件，紫外熔融石英基底的工業(yè)標準損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學元件不同，與光纖空氣/璃界面相關的表面積和光束直徑都非常小，耦合單模(SM)光纖時尤其如此，因此，對于給定的功率密度，入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。
右表列出了兩種光功率密度閾值：一種理論損傷閾值，一種"實際安全水平"。一般而言，理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下，可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。而"實際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風險。超過實際安全水平操作光纖或元件也是有可以的，但用戶必須遵守恰當?shù)倪m用性說明，并在使用前在低功率下驗證性能。
計算單模光纖和多模光纖的有效面積
單模光纖的有效面積是通過模場直徑(MFD)定義的，它是光通過光纖的橫截面積，包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時，入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD，才能達到良好的耦合效率。
例如，SM400單模光纖在400 nm下工作的模場直徑(MFD)大約是?3 µm，而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為?10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來計算：
SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2
為了估算光纖端面適用的功率水平，將功率密度乘以有效面積。請注意，該計算假設的是光束具有均勻的強度分布，但其實，單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀，使得光束中心的密度比邊緣處更高，因此，這些計算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對應的功率。假設使用連續(xù)光源，通過估算的功率密度，就可以確定對應的功率水平：
SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實際安全水平)
SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實際安全水平)
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級)可以無損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對無終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關系。
這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關的損傷機制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時，沒有進入纖芯并在光纖中傳播的光會散射到光纖的外層，再進入插芯中，而環(huán)氧樹脂用來將光纖固定在插芯中。如果光足夠強，就可以熔化環(huán)氧樹脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘渣。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點，造成耦合效率降低，散射增加，進而出現(xiàn)損傷。
與環(huán)氧樹脂相關的損傷取決于波長，出于以下幾個原因。一般而言，短波長的光比長波長的光散射更強。由于短波長單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風險，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構建無環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設計特點的接頭。
曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關損傷機制的低功率水平限制(由實線表示)。
制備和處理光纖
通用清潔和操作指南
建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對于具體的產(chǎn)品，用戶還是應該根據(jù)輔助文獻或手冊中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E，損傷閾值的計算才會適用。
安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應該關掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。
光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關。將光纖連接到光學系統(tǒng)前，一定要檢查光纖的末端。端面應該是干凈的，沒有污垢和其它可能導致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纖，使用前應該剪切，用戶應該檢查光纖末端，確保切面質(zhì)量良好。
如果將光纖熔接到光學系統(tǒng)，用戶先應該在低功率下驗證熔接的質(zhì)量良好，然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差，會增加光在熔接界面的散射，從而成為光纖損傷的來源。
對準系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時，用戶應該使用低功率；這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭，有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。
高功率下使用光纖的注意事項一般而言，光纖和光纖元件應該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作，但在理想的條件下(佳的光學對準和非常干凈的光纖端面)，光纖元件適用的功率可能會增大。用戶先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗證光纖的性能和穩(wěn)定性，然后再提高輸入或輸出功率，遵守所有所需的安全和操作指導。以下事項是一些有用的建議，有助于考慮在光纖或組件中增大光學功率。
要防止光纖損傷光耦合進光纖的對準步驟也是重要的。在對準過程中，在取得佳耦合前，光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時，會發(fā)生散射引起損傷
使用光纖熔接機將光纖組件熔接到系統(tǒng)中，可以增大適用的功率，因為它可以大程度地減少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應該遵守所有恰當?shù)闹笇碇苽洌⑦M行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導致散射，或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域，從而損傷光纖。
連接光纖或組件之后，應該在低功率下使用光源測試并對準系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率，同時周期性地驗證所有組件對準良好，耦合效率相對光學耦合功率沒有變化。
由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時，大量的光從很小的區(qū)域(受到應力的區(qū)域)逃出，從而在局部形成產(chǎn)生高熱量，進而損傷光纖。請在操作過程中不要破壞或突然彎曲光纖，以盡可能地減少彎曲損耗。
用戶應該針對給定的應用選擇合適的光纖。例如，大模場光纖可以良好地代替標準的單模光纖在高功率應用中使用，因為前者可以提供更佳的光束質(zhì)量，更大的MFD，且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。
階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應用，因為這些應用與高空間功率密度相關。
纖芯泵浦單模摻鐿光纖，單包層
纖芯泵浦設計
遠程通信型光纖幾何形便于處理、拼接和連接
與HI1060-型無源單模光纖拼接良好
應用
低噪聲、低功率前置放大器
ASE光源
連續(xù)波和脈沖激光器和放大器
Liekki YB1200-4/125是一種用于低噪聲、低非線性前置放大器和激光器的高摻鐿光纖。它是用于纖芯泵浦應用的單包層光纖。對于用雙包層光纖做功率放大器的光纖放大器中，這種光纖是用作前置放大器的理想選擇。
這種光纖的遠程通信幾何形狀使之兼容低成本泵浦二極管、標準單模無源光纖、以及標準遠程通信接頭和拼接技術。
Item # | Cladding | Absorption | Mode Field | Cladding | Coating | Core NA | Cut-Off | Core Index | Cladding Index |
YB1200-4/125 | Round | 280 dB/m | 4.4 µm @ 1060 nm | 125 ± 2 µm | 245 ± 15 µm | 0.2 | 1010 ± 70 nm | Proprietarya | Proprietarya |
a. 由于保密協(xié)議，很遺憾我們無法提供更多信息。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
YB1200-4/125 | 摻鐿單模光纖，模場直徑4.4 µm |
包層泵浦SM和LMA摻鐿光纖，雙包層
包層泵浦設計
單?；虼竽雒娣e工作
高泵浦吸收、光暗化效應低
斜率效率高（75-84%）
應用
高平均功率的脈沖放大器
中等和高功率脈沖和連續(xù)波激光器
材料處理
激光雷達
距離測量
這些摻鐿雙包層光纖是高達20瓦的中等和高功率應用的理想選擇，包括光纖功率放大器。高效工作的典型斜率效率為75%到84%。用于LMA版本的匹配被動光纖在下面有售。
每種光纖的斜率效率曲線請見下表
主要特性 | |
YB1200-6/125DC | 遠程通信幾何形兼容光柵和組合器等標準組件 |
YB1200-10/125DC | 包層高吸收率和單模纖芯是基于光纖的功率放大器的理想選擇 |
YB1200-20/400DC | ?400微米包層兼容工業(yè)標準的高功率泵浦激光器和傳輸光纖 |
YB1200-25/250DC | 高包層吸收率和高效率用于高平均功率脈沖光纖放大器 |
YB2000-10/125DC | 高摻雜濃度耐光暗化效應 |
Item # | Cladding | Absorption | Core | Cladding | Coating (Second | Core NA | Cladding NA | Slope | Core | Cladding |
YB1200-6/125DC | Octagonal | 0.55 ± 0.1 dB/m | 7.0 ± 0.5 µm MFD | 125 ± 2 µm | 245 ± 15 µm | 0.12b | ≥0.48 |
| Proprietaryc | Proprietaryc |
YB1200-10/125DC | 1.7 ± 0.3 dB/m | 10.0 ± 1.0 µm | 125 ± 2 µm | 245 ± 15 µm | 0.080 ± 0.005 |
| ||||
YB1200-20/400DC | 0.6 ± 0.1 dB/m | 20.0 ± 1.5 µm | 400 ± 10 µm | 520 ± 15 µm | 0.070 ± 0.005 | ≥0.48 |
| |||
YB1200-25/250DC | 2.3 ± 0.3 dB/m | 25.0 ± 1.5 µm | 250 ± 5 µm | 350 ± 15 µm | 0.070 ± 0.005 | ≥0.48 |
| |||
YB2000-10/125DC | 2.0 ± 0.4 dB/m | 10 ± 1.0 µm | 125 ± 2 µm | 245 ± 15 µm | 0.12 ± 0.02 | >0.46 |
a. 八邊形包層相對平面的測量值。
b. 標稱值
c. 由于保密協(xié)議，很遺憾我們無法提供更多信息。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
YB1200-6/125DC | 大模場面積雙包層摻鐿光纖，模場直徑6微米 |
YB1200-10/125DC | 大模場面積雙包層摻鐿光纖，芯徑10微米 |
YB1200-20/400DC | 大模場面積雙包層摻鐿光纖，芯徑20微米 |
YB1200-25/250DC | 大模場面積雙包層摻鐿光纖，芯徑25微米 |
YB2000-10/125DC | 大模場面積雙包層高摻鐿光纖，芯徑10微米 |
匹配的雙包層無源光纖
經(jīng)過優(yōu)化以耦合有源摻雜光纖
提供單模和大模場(LMA)選項
符合行業(yè)標準的幾何形狀，便于處理
這些無源光纖非常適合與上面出售的有源光纖拼接。選擇合適的纖芯直徑和數(shù)值孔徑匹配有源光纖，以維持通過光纖激光器或放大器的光束質(zhì)量。外包層直徑設計環(huán)繞有源光纖，以使從無源到有源光纖的泵浦耦合損耗低。
這些無源光纖鍍有低折射率的丙烯酸，用于泵浦有源光纖。如有特殊要求，也可提供高折射率丙烯酸酯鍍膜；具體請聯(lián)系技術支持。
Item # | Compatible | Cladding | Core | Cladding | Coating (Second | Core NA | Cladding NA | Proof Test | Core Index | Cladding Index |
P-6/125DC | YB1200-6/125DC | Round | 7 ± 0.5 µma | 125 ± 2 µm | 245 ± 15 µm | 0.12 (Nominal) | ≥0.48 | ≥100 kpsi | Proprietaryb | Proprietaryb |
P-10/125DC | YB1200-10/125DC | 10 ± 1 µm | 0.08 ± 0.005 | |||||||
P-20/400DC | YB1200-20/400DC | 20 ± 1.5 µm | 400 ± 5 µm | 520 ± 15 µm | 0.07 ± 0.005 | |||||
P-25/250DC | YB1200-25/250DC | 25 ± 1.5 µm | 250 ± 5 µm | 350 ± 15 µm |
a. 纖芯直徑規(guī)格是指在1060 nm處的遠場模場直徑。
b. 很抱歉我們無法提供更多信息。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
P-6/125DC | NEW!無源單模雙包層光纖，纖芯6 µm，匹配YB1200-6/125DC |
P-10/125DC | 無源LMA雙包層光纖，纖芯10 µm，匹配YB1200-10/125DC(-PM) |
P-20/400DC | NEW!無源LMA雙包層光纖，纖芯20 µm，匹配YB1200-20/400DC |
P-25/250DC | NEW!無源LMA雙包層光纖，纖芯20 µm，匹配YB1200-25/250DC |
纖芯泵浦光纖橫截面
包層泵浦光纖橫截面
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